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MCZ-6000C型硅单晶炉
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简 介**
MCZ-6000C型软轴单晶炉，是在惰性气体环境中，以石墨电阻
加热器将硅半导体材料熔化，用直拉法生长无位错单晶的设备。
它可生产太阳能光伏器件所需要的高质量单晶。
本炉具有：
- 高精度温度自动控制与数位显示系统
- 高精度晶升/转，埚升/转速度自动控制与数位显示系统
- 高精度真空测量与数位显示系统（帕与托，±5%）
- 高精度质量流量控制系统
- 单晶熔体埚位元自动跟踪系统
- CCD/IRCON单晶直径控制系统（*1）
- CCD直径测量与生长过程即时显示系统（*2）
- 单晶重量、长度、测量与数位显示系统
- 谐波抑制与无功功率自动补偿系统
- 具有连续加料介面能力（*3）
- 具有20〃固化碳毡热系统安装能力（*4）
主要技术参数: |
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1.电源电压: |
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三相 60Hz 380 VAC |
2.变压器容量: |
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240 KVA |
3.加热器最大加热功率: |
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150 Kw |
4.加热器最大电压与最大电流: |
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0-60V(连续可调) ×2800A |
| 5.加最高加热温度： |
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1600℃ |
6.晶体直径(最大): |
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φ6″-φ8″±2mm |
7.熔料量(最大): |
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55-80 Kg (热系统用户自备，验收按18″热系统投料55 Kg) |
8.冷炉极限真空度: |
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≤3 Pa |
9.主炉室尺寸: |
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φ800mm×800mm |
10.闸板阀通径: |
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φ260 mm |
11.副炉室尺寸 |
内径×内部高度 |
φ260×2600 mm |
| 12.籽晶在炉内有效行程: |
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＞2560mm |
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拉速范围 |
0.1-10 mm/min |
| 13.籽晶快速 |
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10-400 mm/min |
| 14.籽晶转速 |
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1-40 mm/min |
| 15.坩埚在炉内有效行程: |
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400mm |
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升速范围 |
000.02-2.5 mm/min |
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升速快速 |
100 mm/min |
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转速范围 |
1-30 rpm |
16.主机外形尺寸: |
长×宽×高 |
2530×1703×5922mm |
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