简 介**
MCZ-6000B型太阳能硅单晶炉,是在惰性气体环境中
,用石墨加热器将多晶硅材料熔化,用直拉法生长无错位
单晶的设备。它可生产太阳能级、二极管级和大规模集
成电路所需要的高质量单晶。用这种单晶炉能使用18英
寸的石英坩埚投料65kg,拉制6英寸或8英寸的单晶，最大
裕度可允许使用20英寸的石英坩埚，投料80kg拉制8英寸
的单晶。
主要技术参数：
1.电源:
三相 50Hz 380 V±10%
2.变压器容量:
200 KVA
3.加热器最大加热功率:
150 Kw
4.加热器最大电压与最大电流:
70 V ×2400 AD
6.晶体直径(最大):
φ6″(φ150) -φ8″(φ200)
7.熔料量(最大):
60 Kg
8.冷炉极限真空度:
≤3 Pa
9.主炉室尺寸:
φ800×1150
10.插板阀：:
φ260 × 111
11.副炉室尺寸
φ260×1800
0.1-10 mm/min
1-40 mm/min
16.主机外形尺寸:
2530×1703×5922mm
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