简 介**
MCZ-2800-96A型磁场砷化镓高压单晶炉，是工业化生产GaAs单晶的主要设备。设备投料量为28Kg，最大可到50Kg，适于4″-6″GaAs单晶的生长，是新一代的高压单晶炉。
本单晶炉用于在高压环境下原位合成GaAs后，降至中压完成GaAs单晶的生长。
本合成炉炉室内腔尺寸优化设计为Φ572×1200，最大工作压力为9.6Mpa，满足晶体生长需要。
设备的主炉室采用高质量不锈钢，按高压容器严格设计、制造及检测。并可依据客户需求，配备0-2000高斯磁场强度连续可调的永磁场，达到等效微重力晶体生长能力。
设备配有进口精密重量传感器，采用进口研华586工控机和专门研制的计算机软件用于上称重法控制晶体等径生长。
主要技术参数: |
