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CZ-3000 型氧化物晶体炉 |
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 简 介**
CZ-3000型单晶炉,是在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶
硅材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备
CZ-3000型单晶炉可生产太阳能级、二极管级和大规模集成电
路所需要的高质量单晶。用这种单晶炉能使用12寸的石英坩埚投料
20kg,拉制4寸或5寸的单晶，最大裕度可允许使用14寸的石英坩埚
，投料30kg拉制6寸的单晶。
主要技术参数 |
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1.电源：
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三相 50Hz 380V±10％ |
2.变压器容量：
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160KVA |
3.加热器最大加热功率：
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120Kw |
4.加热器最大电压：
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70V |
5.晶体直径（最大）：
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φ6″(φ150) |
6.熔料量（最大）：
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30Kg |
7.冷炉极限真空度：
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≤3 Pa |
8.主炉室尺寸：
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φ620×1063 （炉筒、炉盖延伸部分总计） |
9.隔离阀孔径
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φ200 |
10.副炉室尺寸
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φ200×1325 |
11.籽晶在炉内有效行程:
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＞3000 |
拉速范围
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0.1-10 mm/min |
12.籽晶在副室内有效行程:
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1100 |
13.坩埚杆在炉内有效行程:
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370 |
升速范围
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0.02-2.5 mm/min |
14.主机最大高度:
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4832 |
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